编辑-Z
ASEMI整流桥S35VB100参数:
型号:S35VB100
最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V
最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V
最大直流阻断电压(VDC):1000V
最大平均正向整流输出电流(IF):35A
峰值正向浪涌电流(IFSM):400A
每个元件的典型热阻(ReJA):1.4℃/W
每个元件的典型结电容(Cj):150pF
工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-55 to +150℃
最大瞬时正向压降(VF):1.05V
最大直流反向电流(IR):5uA
?
S35VB100规格封装:
封装:SVB-4
总长度:25.0mm
本体长度:10.5mm
引脚长度:14.5mm
宽度:32.1mm
高度:32.1mm
脚宽度:6.5mm
?
S35VB100特征:
额定电压为1000V PRV
高效率
玻璃钝化芯片结
电绝缘金属外壳,可实现最大热量耗散
电气隔离底座2500伏
?
S35VB100机械数据:
外壳:带散热片的模压塑料内部安装在电桥封装中
极性:如壳体上所标记
安装:#10螺丝孔
重量:0.70盎司,20克(大约)
1.本站遵循行业规范,任何转载的稿件都会明确标注作者和来源;2.本站的原创文章,会注明原创字样,如未注明都非原创,如有侵权请联系删除!;3.作者投稿可能会经我们编辑修改或补充;4.本站不提供任何储存功能只提供收集或者投稿人的网盘链接。 |
标签: #s35vb100整流桥参数 #TSTG55 #To #S35VB100规